RH6L040BGTB1 与 BSZ100N06LS3 G 区别
| 型号 | RH6L040BGTB1 | BSZ100N06LS3 G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-RH6L040BGTB1 | A-BSZ100N06LS3 G |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Nch 60V 65A, HSMT8, Power MOSFET | 系列:OptiMOS™ |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 7.1mΩ@40A,10V | 7.7mΩ |
| 上升时间 | - | 58ns |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 59W | 50W |
| Qg-栅极电荷 | - | 45nC |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 20S |
| 典型关闭延迟时间 | - | 19ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | HSMT8 | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 65A | 20A |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 系列 | - | OptiMOS™ |
| 长度 | - | 3.3mm |
| 下降时间 | - | 8ns |
| 高度 | - | 1.10mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 20 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RH6L040BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSMT8 N-Channel 59W 7.1mΩ@40A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 65A |
暂无价格 | 20 | 当前型号 |
|
BSZ100N06LS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 20A 7.7mΩ 20V 50W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
SIS862ADN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
15.8A(Ta),52A(Tc) N-Channel 7,2 mOhms @ 10A,10V 3.6W(Ta),39W(Tc) -55°C~150°C 60V SOT1210 |
暂无价格 | 30 | 对比 |
|
|
SIS862DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
40A(Tc) N-Channel ±20V 8.5mΩ@20A,10V 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 20 | 对比 |
|
SIS4608LDN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1210 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
NVTFS5820NLTAG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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